2023年浙江省考常識積累：光刻技術
光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠(前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠)，使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。
1.光刻技術原理
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
光刻技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。
2.光刻技術的特點
光刻技術特點是：采用像面分割原理，以覆蓋最大芯片面積的單次曝光區作為最小成像單元，從而為獲得高分辨率的光學系統創造條件。
3.光刻技術的應用
常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。
1）光復印工藝：經曝光系統將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。
2）刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。例如，大規模集成電路要經過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
在狹義上，光刻工藝僅指光復印工藝。
刷題鞏固
1、傳統的光刻技術中，鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣，而浸入式技術是將空氣介質換成液體，得到合適波長的光，以提高成像分辨率，以下說法錯誤的是：
A. 液體局部溫度起伏會引起成像質量惡化
B. 為了減少液體對光線的吸收，液層厚度不能太大
C. 以純水為介質時，可以選取任意波長紫外光為光源
D. 可以注入高折射率的液體以得到更高頻率的光，提高成像分辨率
正確答案是 C
第一步，本題考查科技常識并選錯誤項。
第二步，水作溶劑時，最低波長極限是210nm，所以一般吸收都在遠紫外區，因此以純水為介質時，不能夠選取任意波長紫外光為光源。C項錯誤，本題為選非題。C項符合題意。
因此，選擇C選項。
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